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Buon prezzo Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV) In linea
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​​Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR​​

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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Wafer fittizio SiC per la stabilizzazione del processo di semiconduttori e il condizionamento delle apparecchiature

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Elettrodo in silicio monocristallino ad elevata purezza (5N) con diametro del foro del gas personalizzabile e opzioni di resistività multipla per sistemi al plasma a semiconduttore

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Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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Wafer di tantlato di litio su isolante (LTOI) per filtri TC-SAW e applicazioni 5G RF front-end

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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12 pollici C-aixs Al2O3 Sapphire Wafer DSP Diametro 304.8mm Spessore personalizzato

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