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Buon prezzo Wafer di zaffiro monocristallino da 2 pollici con doppio lato lucidato Al2O3 99,999% substrato monocristallino In linea
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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità

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​​Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR​​

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Wafer di carburo di silicio 4 pollici di diametro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS

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Ingotti di carburo di silicio da 6 pollici con alto campo di rottura, conduttività termica e ampia banda di energia per elettronica di potenza

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer fittizio SiC per la stabilizzazione del processo di semiconduttori e il condizionamento delle apparecchiature

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Elettrodo in silicio monocristallino ad elevata purezza (5N) con diametro del foro del gas personalizzabile e opzioni di resistività multipla per sistemi al plasma a semiconduttore

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Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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