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Substrato in carburo di silicio 4H per elettronica di potenza, dispositivi RF e optoelettronica UV

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comprare 6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade fabbricazione online

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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