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[Sic 6H P ]

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

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Wafer Sic in carburo di silicio

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10 millimetri X 10 millimetri di tipo d'isolamento sic grado sic Crystal Substrate di 6H di ricerca del substrato

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2/4/6/8 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H 6H 3C Tipo di supporto personalizzare industria dei semiconduttori Dimensioni multiple

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Wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 0.33mm 0.43mm di 6H-N 4H-N sic

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chip su misura dei wafer di dimensione 4h-n 6h-semi di dimensione 5x5 10x10mm sic

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