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[Sic 6H P ]

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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2/4/6/8 pollici Sic Semi di cristallo di carburo di silicio 4H-N Tipo Alta durezza P grado R grado D grado

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC

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