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4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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2 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Spessore 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato

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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici

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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR

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2/4/6/8 pollici Sic Semi di cristallo di carburo di silicio 4H-N Tipo Alta durezza P grado R grado D grado

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Sottostrato di Wafer Epitaxial SiC Semiconduttore Applicazioni industriali 4H-N

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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