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Buon prezzo Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici in linea
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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici

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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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La dimensione su misura 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC scheggia i piatti

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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