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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade
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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici
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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina
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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime
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2 pollici Sic Substrato 6H-N Tipo Spessore 350um 650um Sic Wafer
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La dimensione su misura 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC scheggia i piatti
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substrato di resistività >1E7ohm.cm sic da forma customzied
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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia
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Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate
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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple
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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati
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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic