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[sic 6h p ]

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm

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Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR

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2/4/6/8 pollici Sic Semi di cristallo di carburo di silicio 4H-N Tipo Alta durezza P grado R grado D grado

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Sottostrato di Wafer Epitaxial SiC Semiconduttore Applicazioni industriali 4H-N

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto