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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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55mm/1010mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione

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Substrati in carburo di silicio SiC 4H-N / Semi-isolanti

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wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf

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Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione

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