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Buon prezzo Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio in linea
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Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Substrati in carburo di silicio SiC 4H-N / Semi-isolanti

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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5*5mm/10*10mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione

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wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf

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Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione

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Tagliatrice a filo diamantato a filo singolo per materiale SiC/Zaffiro/Quarzo/Ceramica

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