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Buon prezzo Apparecchiature laser microfluidiche per la lavorazione di wafer a semiconduttori in linea
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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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5x40mm su misura modellano i wafer sic di cristallo 4 chip di H-N Sic Substrates

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Wafer di carburo di silicio SiC 4H-N Dumb Grade Rrime Grade Materiali semiconduttori ad alta durezza

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Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer

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Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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Lente in Carburo di Silicio (SiC) Trasparente Incolore Wafer Lucido Ottico AR per Occhiali

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Lente ottica sic di cristallo trasparente Undoped del carburo di silicio con durezza 9,2

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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