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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione

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3 pollici HPSI SiC Spessore del substrato 500um Prime Dummy Research Grade Grade Traslucido ottico per occhiali AR

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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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Strumento di orientamento delle wafer basato su XRD per la determinazione dell'angolo di taglio ad alta precisione

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4 pollici Wafer Si Dia 100mm Spessore 350um Orientazione <100> DSP SSP Wafer di silicio personalizzati tipo N tipo P

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Wafer di silicio personalizzati da 4 pollici (100 mm): spessore di 350 μm, < 100> orientamento, DSP/SSP, doping di tipo N/P

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