Forno di sinterizzazione del SiC ¥ Carbonizzazione ad alta temperatura e soluzione di legame uniforme

Forno di sinterizzazione SiC – Carbonizzazione ad alta temperatura e soluzione di incollaggio uniforme

Panoramica del prodotto

Il forno di sinterizzazione SiC è progettato per la sinterizzazione e la carbonizzazione ad alta temperatura di wafer, semi di SiC, carta di grafite e lastre di grafite. In combinazione con la macchina di incollaggio a spruzzo completamente automatica SiC, garantisce prodotti incollati SiC senza bolle, pressati in modo uniforme e di alta precisione.

Il forno consente temperatura, pressione e tempo di sinterizzazione regolabili, garantendo una completa carbonizzazione adesiva e un legame chimico stabile. È ideale per ambienti ad alta temperatura, alta resistenza e corrosivi, fornendo un processo di produzione stabile e ad alta resa (>90%) per l'incollaggio di semi di SiC, la preparazione di wafer semiconduttori e l'incollaggio di materiali di alta precisione.

Tecnologia principale

1. Sinterizzazione e carbonizzazione ad alta temperatura

   • Wafer incollati, semi di SiC, carta di grafite e lastre di grafite subiscono un trattamento ad alta temperatura controllato.

   • Gli strati adesivi sono completamente carbonizzati e polimerizzati, formando un legame chimico stabile.

2. Pressatura uniforme

   • La pressione regolabile garantisce un incollaggio uniforme sull'interfaccia, prevenendo deformazioni o vuoti locali.

   • Le funzioni di assistenza sottovuoto e rilevamento delle bolle consentono la sinterizzazione senza bolle.

3. Parametri di processo programmabili

   • Temperatura, pressione, profili di riscaldamento/raffreddamento e tempo di permanenza sono completamente programmabili.

   • Si adatta alle diverse caratteristiche dei materiali e ai requisiti di processo, garantendo una forza di incollaggio e un'affidabilità costanti.

Caratteristiche del sistema

• Controllo della temperatura di alta precisione: Temperatura uniforme del forno per risultati di incollaggio costanti.

• Sistema di pressione regolabile: Assicura una compressione uniforme dell'interfaccia.

• Assistenza sottovuoto: Rimuove le bolle d'aria per un incollaggio senza difetti.

• Controllo del processo programmabile: Cicli automatici di riscaldamento, permanenza e raffreddamento, con più ricette memorizzate.

• Design modulare: Facile manutenzione ed espandibilità futura.

• Caratteristiche di sicurezza: Protezione da sovratemperatura e sovrapressione, interblocchi di funzionamento.

Specifiche tecniche

Applicazioni tipiche

• Incollaggio di semi di SiC: Sinterizzazione e carbonizzazione ad alta temperatura per un incollaggio forte e uniforme.

• Preparazione di wafer semiconduttori: Sinterizzazione di wafer SiC monocristallini o multicristallini.

• Materiali resistenti alle alte temperature e alla corrosione: Ceramiche ad alte prestazioni e compositi a base di grafite.

• R&S e produzione pilota: Sinterizzazione di materiali di alta precisione in piccoli lotti.

Vantaggi principali

• Alta resa: In combinazione con la macchina di incollaggio a spruzzo automatizzata, la resa di incollaggio supera il 90%.

• Alta stabilità: Temperatura, pressione e vuoto regolabili garantiscono risultati di sinterizzazione costanti.

• Alta affidabilità: I componenti chiave soddisfano gli standard internazionali per un funzionamento stabile a lungo termine.

• Espandibile: Il design modulare consente wafer multipli o dimensioni di wafer più grandi.

• Funzionamento intuitivo: L'interfaccia programmabile automatizza l'intero ciclo di sinterizzazione.

FAQ – Domande frequenti

Q1: Quali materiali può processare il forno di sinterizzazione SiC?
A1: Wafer, semi di SiC, carta di grafite, lastre di grafite e altri materiali resistenti alle alte temperature e alla corrosione.

Q2: La temperatura e la pressione sono regolabili?
A2: Sì. La temperatura varia da 100–1600 °C e la pressione da 0–5 MPa. Entrambi sono completamente regolabili in base ai requisiti del materiale e del processo.

Q3: Come viene garantita la sinterizzazione senza bolle?
A3: Il forno integra evacuazione assistita dal vuoto e pressatura uniforme, garantendo un incollaggio senza bolle e completo.

Q4: È possibile processare più wafer contemporaneamente?
A4: Sì. La camera può essere personalizzata per wafer singoli o multipli.

Q5: Qual è il tempo di ciclo di sinterizzazione tipico?
A5: Regolabile, generalmente 30–180 minuti, a seconda dello spessore del materiale e delle impostazioni del processo.