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Buon prezzo Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità in linea
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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici

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Forno di crescita dei cristalli sic PVT LPE HT-CVD metodo di crescita dei singoli cristalli sic di alta qualità

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Sic forno di crescita metodo PVT 6 pollici 8 pollici 12 pollici basso consumo energetico

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Sic Resistenza Crescita Forno di cristallo Alta temperatura Ingot di riscaldamento 6 pollici 8 pollici 12 pollici

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Wafer Sic in carburo di silicio

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