Sic resistenza di crescita forno di cristallo ingot di riscaldamento ad alta temperatura 6 pollici 8 pollici 12 pollici
Il forno a cristalli a resistenza al carburo di silicio è un tipo di attrezzatura utilizzata appositamente per la coltivazione di cristalli di carburo di silicio (SiC).il carburo di silicio ha ottime proprietà quali l'elevata conduttività termica, un campo elettrico ad elevata degradazione e una elevata velocità di deriva di saturazione elettronica, ed è ampiamente utilizzato in elettronica di potenza, dispositivi a radiofrequenza e semiconduttori ad alta temperatura.Il forno a cristallo lungo resistivo fornisce un ambiente ad alta temperatura attraverso il riscaldamento resistivo, che è l'attrezzatura chiave per realizzare la crescita del cristallo di carburo di silicio.
Caratteristiche del forno a cristalli lunghi con resistenza SIC
· Capacità ad alta temperatura: può fornire un ambiente ad alta temperatura superiore a 2000°C per soddisfare le esigenze di crescita dei cristalli di carburo di silicio.
· Controllo della temperatura ad alta precisione: la precisione del controllo della temperatura può raggiungere ±1°C per garantire la qualità della crescita dei cristalli.
· Alta stabilità: il metodo di riscaldamento a resistenza è stabile e affidabile, adatto per un lavoro continuo a lungo termine.
· Basso inquinamento: per ridurre l'influenza delle impurità sulla qualità dei cristalli vengono utilizzati materiali di alta purezza e un'atmosfera inerte.
Specifiche tecniche
| Specificità |
Dettagli |
| Dimensioni (L × P × H) |
2500 × 2400 × 3456 mm o personalizzare |
| Diametro del crogiolo |
900 mm |
| Pressione massima del vuoto |
6 × 10−4 Pa (dopo 1,5 ore di vuoto) |
| Tasso di fuga |
≤ 5 Pa/12h (fabbricazione) |
| Diametro dell'albero di rotazione |
50 mm |
| Velocità di rotazione |
0.5 ∙ 5 giri al minuto |
| Metodo di riscaldamento |
Riscaldamento a resistenza elettrica |
| Temperatura massima del forno |
2500°C |
| Potenza di riscaldamento |
40 kW × 2 × 20 kW |
| Misurazione della temperatura |
Pirometro a infrarossi a doppio colore |
| Intervallo di temperatura |
900 ∼ 3000°C |
| Precisione della temperatura |
± 1°C |
| Intervallo di pressione |
1,700 mbar |
| Accuratezza del controllo della pressione |
1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S.;
10-100 mbar: ±0,5% F.S.;
100-700 mbar: ±0,5% F.S. |
| Tipo di operazione |
Caricamento in fondo, opzioni di sicurezza manuale/automatica |
| Caratteristiche facoltative |
Misurazione di doppia temperatura, zone di riscaldamento multiple |
Risultati del forno di crescita Sic resistenza
Risultato di crescita
Utilizzando il trasferimento di vapore fisico avanzato (PVT), il forno di crescita a resistenza al SiC può controllare con precisione le condizioni di crescita dei cristalli ad alte temperature per garantire la crescita di alta qualità,monocristalli di carburo di silicio a basso difettoL'apparecchiatura ha le caratteristiche di un controllo della temperatura di alta precisione (± 1°C), di un'elevata efficienza e risparmio energetico, stabile e affidabile, adatta per un funzionamento continuo a lungo termine. The equipment provided by ZMSH is also equipped with an intelligent monitoring system that adjusts growth parameters in real time to further improve crystal consistency and yield to meet the semiconductor industry's demanding requirements for high-performance crystals.
Semiconduttori standard di produzione
ZMSH ha accumulato molti anni di esperienza tecnologica nel settore dei forni di crescita della resistenza al SiC, fornendo servizi di assistenza completa dalla progettazione e produzione delle apparecchiature al supporto post-vendita.I nostri dispositivi non solo soddisfano gli standard dell'industria dei semiconduttori, ma sono anche ottimizzati per applicazioni come l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e la nuova energia per garantire prestazioni cristalline superiori in scenari ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.
Servizio ZMSH
ZMSH si concentra sulla fornitura di forni per la crescita della resistenza al SiC ad alte prestazioni e servizi di supporto, tra cui la personalizzazione delle apparecchiature, l'ottimizzazione dei processi e il supporto tecnico.Con molti anni di esperienza nel settore, assicuriamo l'elevato controllo della temperatura, la stabilità e l'efficienza energetica dell'attrezzatura per soddisfare la domanda dell'industria dei semiconduttori di cristalli di carburo di silicio di alta qualità.La forza della ZMSH sta nella rapida consegna, soluzioni personalizzate e servizio post-vendita 24 ore su 24, 7 giorni su 7, fornendo ai clienti un supporto completo dall'installazione delle apparecchiature all'ottimizzazione del processo di crescita dei cristalli,aiutare i clienti a guidare l'elettronica di potenza, dispositivi RF e altri campi.
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