Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: zmsh
Termini di pagamento e spedizione
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
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SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Portatore di barche in ceramica SiC personalizzato per la movimentazione di wafer
Il portabarchi in ceramica a carburo di silicio (SiC) personalizzato è una soluzione di gestione dei wafer ad alte prestazioni progettata per i processi di produzione di semiconduttori, fotovoltaici e LED.Progettato per la stabilità ad alta temperatura, resistenza chimica e ultra-basso livello di contaminazione, questo vettore garantisce un trasporto sicuro ed efficiente dei wafer in ambienti difficili come CVD, forni a diffusione e camere di ossidazione.
Principali vantaggi della barca in ceramica SiC
Alta stabilità termica ️ Resiste a temperature fino a 1.600°C senza deformazioni.
Inerzia chimica ️ Resiste all'erosione da acidi, alcalini e plasma, garantendo una durata lunga.
Generazione di particelle basse
Progettazione personalizzabile: adattata alle dimensioni del wafer, all'ampiezza delle slot e alle esigenze di movimentazione
Ideale per fabbriche di semiconduttori, produzione MEMS e lavorazione di semiconduttori composti
Specificità
Contenuto di carburo di silicio | - | % | > 99.5 |
Dimensione media del grano | - | micron | 4-10 |
Densità di massa | - | kg/dm^3 | >3.14 |
Apparente porosità | - | Vol % | < 0.5 |
Durezza Vickers | HV0.5 | Kg/mm^2 | 2800 |
Modulo di rottura (3 punti) | 20°C | MPa | 450 |
Resistenza alla compressione | 20°C | MPa | 3900 |
Modulo di elasticità | 20°C | GPa | 420 |
Durezza della frattura | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Conduttività termica | 20°C | (M*K) | 160 |
Resistenza elettrica | 20°C | Ohm.cm | 10^6-10^8 |
Coefficiente di espansione termica | a) (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Temperatura di applicazione massima | Atmosfera ossidata | °C | 1600 |
Temperatura di applicazione massima | Atmosfera inerte | °C | 1950 |
Applicazioni di barche in ceramica SiC
1. Fabbricazione di semiconduttori
✔ Forni di diffusione e di ricottura
- Stabilità ad alte temperature
- bassa espansione termica (4.3×10−6/K)
✔ CVD ed epitaxia (crescita di SiC/GaN)
- Resistenza alla corrosione dei gas Inerte al SiH4, NH3, HCl e ad altri precursori aggressivi.
- Superficie priva di particelle
✔ Implantazione ionica
- Riservato alle radiazioni Nessuna degradazione sotto bombardamento ionico ad alta energia.
2. elettronica di potenza (dispositivi SiC/GaN)
✔ Trasformazione di Wafer in SiC
- Corrispondenza CTE (4.3×10−6/K) ️ Minimizza lo stress a 1.500°C+ di crescita epitaxiale.
- Alta conduttività termica (160 W/m·K)
✔ Dispositivi con GaN su SiC
- Non Contaminanti Nessun rilascio di ioni metallici rispetto alle barche di grafite.
3Produzione fotovoltaica (cellule solari)
✔ Cellule solari PERC e TOPCon
- Resistenza alla diffusione del POCl3
- Lunga durata di vita ¥ 5-10 anni rispetto a 1-2 anni per le barche in quarzo.
✔ Solari a pellicola sottile (CIGS/CdTe)
- Resistenza alla corrosione Stabile nei processi di deposizione di H2Se e CdS.
4. LED e optoelettronica
✔ Mini/Micro-LED Epitaxy
- Disegno di slot di precisione
- Compatibile con la stanza pulita Risponde agli standard di particolato SEMI F57.
5Ricerca e applicazioni specializzate
✔ Sintesi di materiale ad alta velocità
- Aiuti alla sinterizzazione (ad esempio, B4C, AlN)
- Crescita cristallina (ad esempio, Al2O3, ZnSe) Non reattivo con materiali fusi.
Domande frequenti
Q1:Quali dimensioni di wafer sono supportate?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").
Q2: Qual è il tempo di consegna per i disegni personalizzati?
- Modelli standard: 4-6 settimane.
- Completamente personalizzato: 8-12 settimane (a seconda della complessità).