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Involucro del laboratorio
Created with Pixso. Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori

Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori

Marchio: ZMSH
MOQ: 5
prezzo: 100
Tempo di consegna: 3-4 settimana
Condizioni di pagamento: t/t
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Certificazione:
rohs
Resistenza superficiale:
104~109Ω
Dimensione:
Personalizzabile (per wafer da 4 ′′12")
Purezza:
990,9%
Densità:
D=8,91 ((g/cm3)
Diametro:
25-500 mm
Applicazione:
Prova del pacchetto, smistamento dei chip
Forza meccanica:
Resistenza a flessione > 400 MPa
Resistenza:
0.1~60 ohm.cm
resistenza termica:
℃ 1600
Resistenza chimica:
Resistente ad acidi, basi e plasma
Imballaggi particolari:
Cuscino di schiuma + scatola di cartone
Capacità di alimentazione:
mese 1000per
Evidenziare:

Effettore finale in SiC per la lavorazione dei semiconduttori

,

Effettore finale in SiC per la movimentazione di wafer

,

Effettore finale in SiC resistente alla corrosione

Descrizione di prodotto

 

Descrizione del prodotto:

 

Il nostroEffettori terminali SiCsono progettati per la manipolazione di wafer ultra-pulite in ambienti di produzione di semiconduttori.carburo di silicio di alta purezza, queste forchette fornisconoresistenza termica eccezionale,stabilità chimica, eresistenza meccanicaRendili ideali per l'uso incamere di processo rigidecome l'incisione, la deposizione e i sistemi di trasporto ad alta temperatura.

Il corpo di SiC denso e a grana fine garantiscebassa generazione di particelle,eccellente stabilità dimensionale, e compatibilità conWafer da 200 mm a 300 mmDisegni personalizzati sono disponibili per specifici bracci robotici e vettori di wafer.

 


 

Caratteristiche chiave:

  • Materiale: Carburo di silicio (SiC) di alta purezza

 

  • Eccellente resistenza termica (fino a 1600°C)

 

  • Resistenza alla corrosione chimica e plasmatica superiore

 

  • Alta resistenza meccanica e rigidità

 

  • Basso livello di produzione di particelle per l'uso in camera bianca

 

  • Disponibile per la movimentazione di wafer da 4", 6", 8" e 12"

 

  • Forme e slot personalizzati per la compatibilità con i robot

 


 

 

Specificativi del prodotto:

 

Parametro Specificità
Materiale SiC di alta purezza (≥99%)
Dimensione Personalizzabile (per wafer da 4 ′′12")
Finitura superficiale Polito o mattato secondo esigenze
Resistenza termica Fino a 1600°C
Resistenza chimica Resistente agli acidi, alle basi e al plasma
Forza meccanica Resistenza alla flessione > 400 MPa
Grado della stanza pulita Adatto per la classe 1?? 100

 

 

Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 0Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 1Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 2Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 3Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 4Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 5

 

 

 

 

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