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Buon prezzo Sottostrato di Wafer Epitaxial SiC Semiconduttore Applicazioni industriali 4H-N in linea
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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati

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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare

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Tipo conduttivo su ordinazione sic wafer per fotovoltaico solare ad alta tensione ad alta temperatura del dispositivo di potere

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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Semiconduttore GaN Substrates del wafer del nitruro di gallio di isolato

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