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Buon prezzo Trasmittanza di wafer di quarzo di grado ottico di 3 pollici > 92% Substrati di vetro semiconduttori in linea
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2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um

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Macchina quadrata a doppia stazione in silicio monocristallino 6/8/12 pollici con sbarramento ≤ 0,5 mm, alta precisione ± 0,05 mm

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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12 pollici C-aixs Al2O3 Sapphire Wafer DSP Diametro 304.8mm Spessore personalizzato

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6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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GaN-SU-silicio del wafer del nitruro di gallio di 300mm per potere micro LED

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