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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[polished silicon wafer ]

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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Semiconduttore GaN Substrates del wafer del nitruro di gallio di isolato

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GaN--GaN sul micro isolato GaN Substrates dei wafer del LED EPI a 2 pollici

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spessore piano di 8inch 0,725 Dia100mm C singolo Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

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di 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC del wafer di silicio del carburo grado fittizio principale del substrato sic

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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE

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chip su misura dei wafer di dimensione 4h-n 6h-semi di dimensione 5x5 10x10mm sic

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tipo grado di 2inch 3inch Dia100m 4H-N di produzione del wafer del carburo di silicio per il dispositivo a semiconduttore

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5x40mm su misura modellano i wafer sic di cristallo 4 chip di H-N Sic Substrates

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Substrato ceramico del catalizzatore dei wafer DSP di 4H-N 5x5mm sic

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Di 4 H-N Production Grade Dummy del grado wafer 8inch Dia200mm del substrato sic

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Materiale a semiconduttore dei wafer di 4H-N 4inch 6inch sic per lo SBD MOS Device

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

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