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Mr. Wang

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[polished silicon wafer ]

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Tipo conduttivo su ordinazione sic wafer per fotovoltaico solare ad alta tensione ad alta temperatura del dispositivo di potere

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm

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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

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chip su misura dei wafer di dimensione 4h-n 6h-semi di dimensione 5x5 10x10mm sic

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tipo grado di 2inch 3inch Dia100m 4H-N di produzione del wafer del carburo di silicio per il dispositivo a semiconduttore

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5x40mm su misura modellano i wafer sic di cristallo 4 chip di H-N Sic Substrates

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Materiale a semiconduttore dei wafer di 4H-N 4inch 6inch sic per lo SBD MOS Device

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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