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Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer

Marchio:	zmkj
Numero di modello:	Ge-001
MOQ:	3pcs
Prezzo:	by case
Tempo di consegna:	1-4weeks

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La CINA

Materiali:

Monocristallo di GE

industria:

substrati a semiconduttore, dispositivo, ottico

colore:

nero

diametro:

0.5~150mm

superficie:

lucidato

spessore:

0.1-150mm

tipo:

N tipo,

Imballaggi particolari:

singola cassa del wafer

Capacità di alimentazione:

1000pcs/month

Evidenziare:

Ge lens Indium Phosphide Wafer

semiconductor substrates Indium Phosphide Wafer

inp Ge single crystal

Descrizione di prodotto

4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ) Crystal Structure Cube Lattice Constant a=5.65754Å Density 5.323g/cm3 Melting Point 937.4℃ Doped material None doped or Sb doped Indium or Gallium Doped Type /N P Resistivity >35

Etichette:

substrato del MgO

Wafer di Gap

wafer del inp

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