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Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV

Name: Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio Concentratore fotovoltaico CPV
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Substrati di germanio
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Cina

Marca: ZMSH

Certificazione: rohs

Numero di modello: Substrati di germanio

Termini di pagamento e spedizione

Tempi di consegna: 2-4 settimane

Termini di pagamento: T/T

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto

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                                                                                                                                                                                                                                                                                Wafer di germanio CPV, Wafer di germanio a misura personalizzata, con una larghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm
                              

Materiali::	Monocristallo di GE	Diametro::	0.5~150mm
Spessore::	0.5 mm	Tipo::	Tipo N/Tipo P/Non dopato
Superficie::	Polito/ecceduto	Resistività::	0.1~60 ohm.cm
Industria::	substrati a semiconduttore, dispositivo, ottico

Materiali::	Monocristallo di GE
Diametro::	0.5~150mm
Spessore::	0.5 mm
Tipo::	Tipo N/Tipo P/Non dopato
Superficie::	Polito/ecceduto
Resistività::	0.1~60 ohm.cm
Industria::	substrati a semiconduttore, dispositivo, ottico

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV

Descrizione del prodotto

Substrati semiconduttori di wafer di germanio < 111 > concentrando CPV fotovoltaici

Il germanio di alta purezza viene dopato con elementi trivalenti (ad esempio indio, gallio, boro) per ottenere semiconduttori di germanio di tipo P.e elementi pentavalenti (e.g., antimonio, arsenico e fosforo) dopati per ottenere semiconduttori di germanio di tipo N. Hanno un'elevata mobilità elettronica e un'elevata mobilità di buchi.I substrati di germanio di alta qualità possono essere utilizzati nel fotovoltaico concentrato (CPV), pannelli solari spaziali e applicazioni di diodi emettitori di luce (LED) ad alta luminosità.

Caratteristiche

- La costante di reticolo è maggiore di quella del silicio, che favorisce la costruzione di eterostrutture.

- L'elevata mobilità elettronica, circa tre volte superiore a quella del silicio, favorisce la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta velocità.

- La piccola larghezza di banda (0,67 eV) lo rende adatto per le applicazioni di rilevamento fotoelettrico e di emissione a infrarossi.

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV 2

È più sensibile alle radiazioni ed è adatto per apparecchiature elettroniche sensibili alle radiazioni.

La tecnologia di lavorazione è relativamente complessa e il costo è elevato.

Parametri tecnici

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV 3

Applicazioni

1- elettronica analogica e RF ad alta frequenza: diodi a microonde, transistor, circuiti integrati; apparecchiature elettroniche nella banda di frequenza a microonde, quali radar e comunicazioni.

2- rilevamento e emissione fotoelettrica a infrarossi: rivelatore a infrarossi, apparecchio termico; diodi di emissione a infrarossi, diodi laser.

3Equipaggiamento elettronico sensibile alle radiazioni: Heterostruttura composta di semiconduttori: Sistema aeronautico aerospaziale; Centrali nucleari e apparecchiature elettroniche nel campo militare.

4. eterostruttura dei semiconduttori composti: materiali di substrato per i composti III-V quali GaAs, InP, ecc.; cellule solari di struttura eterogenea, diodi laser, ecc.

I nostri servizi

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

Domande frequenti

1. D: Come si paga?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento sicuro e commercio
Assicurazione su e così via.

2D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche per i vostri componenti ottici
in base alle vostre esigenze.

3.Q: Qual è il vostro MOQ?
R: (1) Per l'inventario, il MOQ è di 3pcs.
(2) Per i prodotti personalizzati, il MOQ è di 25pcs.

Tags:

Income arsenide di indio2 pollici 3 pollici 4 pollici Substrato a cristallo singolo N/P Tipo di semiconduttore Spessore di wafer 300-800um

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Sottostrato di germanio GE Lenti ottiche a finestre piatte Applicazioni di imaging termico e spettroscopia a infrarossi Alta durezza

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Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV

Wafer di germanio CPV

Wafer di germanio a misura personalizzata

con una larghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm

Descrizione del prodotto

Substrati semiconduttori di wafer di germanio < 111 > concentrando CPV fotovoltaici

Caratteristiche

- La costante di reticolo è maggiore di quella del silicio, che favorisce la costruzione di eterostrutture.

- L'elevata mobilità elettronica, circa tre volte superiore a quella del silicio, favorisce la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta velocità.

- La piccola larghezza di banda (0,67 eV) lo rende adatto per le applicazioni di rilevamento fotoelettrico e di emissione a infrarossi.

È più sensibile alle radiazioni ed è adatto per apparecchiature elettroniche sensibili alle radiazioni.

La tecnologia di lavorazione è relativamente complessa e il costo è elevato.

Parametri tecnici

Applicazioni

1- elettronica analogica e RF ad alta frequenza: diodi a microonde, transistor, circuiti integrati; apparecchiature elettroniche nella banda di frequenza a microonde, quali radar e comunicazioni.

2- rilevamento e emissione fotoelettrica a infrarossi: rivelatore a infrarossi, apparecchio termico; diodi di emissione a infrarossi, diodi laser.

3Equipaggiamento elettronico sensibile alle radiazioni: Heterostruttura composta di semiconduttori: Sistema aeronautico aerospaziale; Centrali nucleari e apparecchiature elettroniche nel campo militare.

4. eterostruttura dei semiconduttori composti: materiali di substrato per i composti III-V quali GaAs, InP, ecc.; cellule solari di struttura eterogenea, diodi laser, ecc.

I nostri servizi

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

Domande frequenti

1. D: Come si paga?A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento sicuro e commercioAssicurazione su e così via.

2D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche per i vostri componenti otticiin base alle vostre esigenze.

3.Q: Qual è il vostro MOQ?R: (1) Per l'inventario, il MOQ è di 3pcs.(2) Per i prodotti personalizzati, il MOQ è di 25pcs.

substrato del MgO,

Wafer di Gap,

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

1. D: Come si paga?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento sicuro e commercio
Assicurazione su e così via.

2D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche per i vostri componenti ottici
in base alle vostre esigenze.

3.Q: Qual è il vostro MOQ?
R: (1) Per l'inventario, il MOQ è di 3pcs.
(2) Per i prodotti personalizzati, il MOQ è di 25pcs.