Substrato di HVPE GaN o wafer di GaN Template EPI per le applicazioni di rf

wafer di GaN del nitruro di gallio di metodo di 2inch HVPE, substrati per il applicaion del LED, chip di GaN di dimensione di 10x10mm, wafer di GaN di isolato di HVPE GaN

Circa GaN Feature presenti

La domanda crescente delle capacità di trattamento ad alta velocità, ad alta temperatura ed alte ha fatto l'industria a semiconduttore ripensare la scelta dei materiali utilizzati come semiconduttori. Per esempio,

vario più velocemente ed i più piccoli dispositivi di calcolo sorgono, l'uso di silicio sta rendendolo difficile sostenere la legge di Moore. Ma anche in elettronica di potenza, così il wafer a semiconduttore di GaN si sviluppa fuori per il bisogno.

dovuto la sue tensione unica di ripartizione di caratteristiche (alto corrente massimo, massimo ed alta frequenza di commutazione), il nitruro di gallio GaN è il materiale unico della scelta per risolvere i problemi energetici del futuro. GaN ha basato i sistemi ha più alta efficienza energetica, perdite di potere così di riduzione, commutatore ad più alta frequenza, così riducendo la dimensione ed il peso.

La tecnologia di GaN è utilizzata nelle numerose applicazioni ad alta potenza quali l'industriale, le alimentazioni elettriche del server e del consumatore, azionamento di CA e solare ed invertitori di UPS ed automobili ibride ed elettriche. Ancora,

GaN è adatto idealmente per le applicazioni di rf quali le stazioni base, i radar e tv via cavo cellulari

infrastruttura nella rete, settori della difesa e di spazio aereo, grazie alla sua alta forza di ripartizione, figura a basso rumore ed alte linearità.

Applicazioni

Specifiche per il grado di GaN Substrates LED