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Materiale a semiconduttore dei wafer di 4H-N 4inch 6inch sic per lo SBD MOS Device
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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero
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Substrati di wafer di vetro da 8-12 pollici per semiconduttori e applicazioni avanzate di imballaggio
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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura
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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione
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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser
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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade
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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto
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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H
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Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori
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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati
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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 singolo Crystal Optical Transparency