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4H-N Carburo di silicio SiC Substrato 8 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer
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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato
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Substrato di SiC 4H-N spessore 350um utilizzato in optoelettronica materiale semiconduttore
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Lenti ottiche Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma e dimensione personalizzata 6SP Spessore 10.05
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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura
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Laboratorio sintetico creato trasparente SIC singolo cristallo materiale grezzo per pietre preziose
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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico