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Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori
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Substrati in carburo di silicio semiconduttori ad alta purezza - Soluzioni per wafer multi-diametro (da 2" a 8")
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Elettrodo in silicio monocristallino ad elevata purezza (5N) con diametro del foro del gas personalizzabile e opzioni di resistività multipla per sistemi al plasma a semiconduttore
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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H
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l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente
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Forno di crescita dei cristalli sic PVT LPE HT-CVD metodo di crescita dei singoli cristalli sic di alta qualità
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6" Carburo di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di grado fittizio LED 5G AR Occhiali di grado ottico
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SiC Ingot 6 pollici Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot di alta durezza
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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic
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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm
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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello
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Disco di taglio del substrato 4H-SEMI SiC Dia 10 mm Spessore 5 mm <0001> Alta durezza