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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Buon prezzo Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero in linea
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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm

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4H-SEMI sic di cristallo 4" wafer ottico del carburo di silicio

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Carburo di silicio a 8 pollici Tray For Epitaxial Growth Processing ceramico

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati

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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare

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Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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