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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon carbide substrate ]

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2/4/6/8 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H 6H 3C Tipo di supporto personalizzare industria dei semiconduttori Dimensioni multiple

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12 pollici Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrato Grande Dimensione Alta Purezza Diametro 300mm Grado del prodotto Per la comunicazione 5G

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto

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Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

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2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm

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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

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2 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio Tipo 3C-N Diametro 50,8 mm Grado di Produzione Grado di Ricerca Grado Dummy Grade

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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

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Video

Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser

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