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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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comprare Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm fabbricazione online

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4H-SEMI sic di cristallo 4" wafer ottico del carburo di silicio

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Carburo di silicio a 8 pollici Tray For Epitaxial Growth Processing ceramico

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