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Buon prezzo Wafer di tipo 4H Dia 157±0,5 mm spessore 500±50um monocristallo area > 153 mm in linea
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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità

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Ingotti di carburo di silicio da 6 pollici con alto campo di rottura, conduttività termica e ampia banda di energia per elettronica di potenza

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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