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Buon prezzo Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni in linea
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4H-N SiC Sottostrato Silicio Carbonio Sottostrato Quadrato 5mm*5mm Spessore personalizzato 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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2 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Spessore 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato

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4H-N Carburo di silicio SiC Substrato 8 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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La dimensione su misura 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC scheggia i piatti

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Wafer a 3 pollici del carburo di silicio, sic caratteristiche transitorie eccellenti del substrato

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