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Wafer Sic in carburo di silicio

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spessore su misura 1.5mm 4" wafer in bianco come tagliati sic di cristallo 4H-N

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Di 4 H-N Production Grade Dummy del grado wafer 8inch Dia200mm del substrato sic

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Wafer di carburo di silicio 4 pollici di diametro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS

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di 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP di silicio 4h-N del carburo wafer di superficie sic

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5x40mm su misura modellano i wafer sic di cristallo 4 chip di H-N Sic Substrates

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Area termica della gestione di GaN Diamond Heat Sink Wafers For di metodo di MPCVD

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Wafer SiC di tipo 6H-N: substrato da 2 pollici, spessore 350μm o 650μm

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3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica

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Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs

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Tipo d'isolamento semi- del diametro 150mm del wafer di Gaas di metodo di VGF per la microelettronica

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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni

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