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Buon prezzo 10x15mm trasparente 001 applicazione di GaO Substrate For LED dell'ossido del gallio di orientamento in linea
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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

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Apparecchiature laser microfluidiche per la lavorazione di wafer a semiconduttori

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Wafer fittizio SiC per la stabilizzazione del processo di semiconduttori e il condizionamento delle apparecchiature

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Modulo di wafer orizzontale 4"5"6"8"12" PP con cuscino di schiuma

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4" 4H-Semi Alta Purezza SIC Wafer Prime Grade Semiconduttore EPI Substrati AR Occhiali di grado ottico

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Wafer in carburo di silicio monocristallino SiC da 12 pollici 300 mm 4H-N 6H-N per dispositivi di potenza e LED

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici

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4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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