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sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

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2" InSb-Te EPI Sottostrati a banda stretta Sottostrati semiconduttori Componenti Hall

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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comprare 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto fabbricazione online

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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