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3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica
  • 3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica
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3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica

Luogo di origine La CINA
Marca zmsh
Certificazione no
Numero di modello GaAs-3inch
Dettagli del prodotto
Materiale:
Substrati di monocristallo di GaAs
Industria:
wafer di semicondutor
Applicazione:
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo
Metodo:
VFG
Dimensione:
2-6inch
Spessore:
675um
Tipo:
N tipo
Orientamento:
15°
Spessore:
450um
Evidenziare: 

wafer dell'arsenuro di gallio di microelettronica

,

wafer dell'arseniuro 76.2mmgallium

,

wafer di gaas di microelettronica

Descrizione di prodotto

 

Metod 3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs cheisolano tipo per la microelettronica,

 

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Wafer dell'arsenuro di gallio di GaAs)

L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V con un sistema cristallino della blenda.

L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, i circuiti integrati monolitici di a microonde, i diodi a emissione luminosa infrarossi, i diodi laser, le pile solari e le finestre ottiche. [2]

Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio, l'arsenuro di gallio di alluminio ed altri.

Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs

Caratteristica Campo di applicazione
Alta mobilità di elettrone Diodi luminescenti
Alta frequenza Diodi laser
Alta efficienza di conversione Dispositivi fotovoltaici
Basso consumo energetico Alto transistor di mobilità di elettrone
Intervallo di banda diretto Transistor bipolare di Heterojunction

 

Specificazione

GaAs Undoped

Specifiche d'isolamento di GaAs

 

Metodo di crescita VGF
Dopant Carbonio
Wafer Shape* Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6")
Orientamento di superficie ** (100) ±0.5°

» Wafer *5 disponibili su richiesta

** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta

 

Resistività (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
Mobilità (cm2/V.S) ≥ 5.000 ≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

 

Diametro del wafer (millimetri) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
Spessore (µm) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
FILO DI ORDITO (µm) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
DI (millimetri) 17±1 22±1 32.5±1 TACCA
DI/SE (millimetri) 7±1 12±1 18±1 N/A
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

 

3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica 0

3inch 76.2mm S N tipa ha verniciato il wafer dell'arsenuro di gallio per la microelettronica 1

FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg

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(1) per i prodotti standard quali la lente della palla, la lente di powell e la lente del collimatore:
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
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(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche

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Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.
 

Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto. Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!

 

 

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