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Dettagli dei prodotti

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Wafer di GaAs
Created with Pixso. Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs

Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs

Marchio: zmsh
Numero di modello: GaAs-2inch-N-type
MOQ: 10PCS
prezzo: by case
Tempo di consegna: 1-4weeks
Condizioni di pagamento: Western Union, T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La CINA
Certificazione:
ROHS
Materiale:
Substrati di monocristallo di GaAs
industria:
wafer di semicondutor
applicazione:
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo
Metodo:
VFG
Dimensione:
2inch
Spessore:
350um
Tipo:
N tipo
Orientamento:
15° fuori
Superficie:
SSP
Imballaggi particolari:
casstle 25pcs nella stanza di pulizia di 100 gradi
Capacità di alimentazione:
400pcs/month
Evidenziare:

Wafer Undoped di GaAs

,

Il si ha verniciato i substrati dell'arsenuro di gallio

,

substrati dell'arsenuro di gallio 2inch

Descrizione di prodotto

Il metod 3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs cheisolano il tipo per la microelettronica, 2inch Si-Verniciare N tipa non-ha verniciato i substrati dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAas

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Wafer dell'arsenuro di gallio di GaAs)

L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V con un sistema cristallino della blenda.

L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, i circuiti integrati monolitici di a microonde, i diodi a emissione luminosa infrarossi, i diodi laser, le pile solari e le finestre ottiche. [2]

Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio, l'arsenuro di gallio di alluminio ed altri.

Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs

Caratteristica Campo di applicazione
Alta mobilità di elettrone Diodi luminescenti
Alta frequenza Diodi laser
Alta efficienza di conversione Dispositivi fotovoltaici
Basso consumo energetico Alto transistor di mobilità di elettrone
Intervallo di banda diretto Transistor bipolare di Heterojunction

Specificazione

GaAs Undoped

Specifiche d'isolamento di GaAs

Metodo di crescita VGF
Dopant Carbonio
Wafer Shape* Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6")
Orientamento di superficie ** (100) ±0.5°

» Wafer *5 disponibili su richiesta

** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta

Resistività (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
Mobilità (cm2/V.S) ≥ 5.000 ≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

Diametro del wafer (millimetri) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
Spessore (µm) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
FILO DI ORDITO (µm) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
DI (millimetri) 17±1 22±1 32.5±1 TACCA
DI/SE (millimetri) 7±1 12±1 18±1 N/A
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs 0Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs 1

FAQ –
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(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche

Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto. Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!