Evidenziare:
Wafer Undoped di GaAs
, Il si ha verniciato i substrati dell'arsenuro di gallio
, substrati dell'arsenuro di gallio 2inch
Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs
Il metod 3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs cheisolano il tipo per la microelettronica, 2inch Si-Verniciare N tipa non-ha verniciato i substrati dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAas
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Wafer dell'arsenuro di gallio di GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, i circuiti integrati monolitici di a microonde, i diodi a emissione luminosa infrarossi, i diodi laser, le pile solari e le finestre ottiche. [2]
Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio, l'arsenuro di gallio di alluminio ed altri.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs
| Caratteristica |
Campo di applicazione |
| Alta mobilità di elettrone |
Diodi luminescenti |
| Alta frequenza |
Diodi laser |
| Alta efficienza di conversione |
Dispositivi fotovoltaici |
| Basso consumo energetico |
Alto transistor di mobilità di elettrone |
| Intervallo di banda diretto |
Transistor bipolare di Heterojunction |
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs
| Metodo di crescita |
VGF |
| Dopant |
Carbonio |
| Wafer Shape* |
Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6") |
| Orientamento di superficie ** |
(100) ±0.5° |
» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta
| Resistività (Ω.cm) |
≥1 × 107 |
≥1 × 108 |
| Mobilità (cm2/V.S) |
≥ 5.000 |
≥ 4.000 |
| Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
| Diametro del wafer (millimetri) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
| Spessore (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
| TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
| FILO DI ORDITO (µm) |
≤10 |
≤10 |
≤10 |
≤5 |
| DI (millimetri) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
TACCA |
| DI/SE (millimetri) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
| Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
FAQ –
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