Risultato di ricerca

Casa PRODOTTI SiC MOSFET Produttore online

Tutte le categorie

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

Contattici

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contattaci ora

La tua ricerca

[SiC MOSFET ]

corrispondenza

PRODOTTI

Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

Ottenga il migliore prezzo

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

Ottenga il migliore prezzo

Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

Ottenga il migliore prezzo

8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

Ottenga il migliore prezzo

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

Ottenga il migliore prezzo

Video

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

Ottenga il migliore prezzo

Video

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Ottenga il migliore prezzo

Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

Ottenga il migliore prezzo

Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

Ottenga il migliore prezzo

Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G

Ottenga il migliore prezzo

Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

Ottenga il migliore prezzo

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

Ottenga il migliore prezzo

Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

Ottenga il migliore prezzo

1 2 3 4 5

risultati di ricerca

Casa PRODOTTI SiC MOSFET Produttore online

Tutte le categorie

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

La tua ricerca [ SiC MOSFET ] corrispondenza 75 PRODOTTI

Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

Ottenga il migliore prezzo

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

Ottenga il migliore prezzo

Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

Ottenga il migliore prezzo

8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

Ottenga il migliore prezzo

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

Ottenga il migliore prezzo

Video

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

Ottenga il migliore prezzo

Video

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Ottenga il migliore prezzo

Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

Ottenga il migliore prezzo

Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

Ottenga il migliore prezzo

Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

Ottenga il migliore prezzo

1 2 3 4 5 6 7

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

[SiC MOSFET ]

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs

Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto