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Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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2 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Spessore 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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Sottostrato di Wafer Epitaxial SiC Semiconduttore Applicazioni industriali 4H-N

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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni

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