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Substrato in carburo di silicio 4H per elettronica di potenza, dispositivi RF e optoelettronica UV

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Sic forno di crescita metodo PVT 6 pollici 8 pollici 12 pollici basso consumo energetico

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12 pollici Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrato Grande Dimensione Alta Purezza Diametro 300mm Grado del prodotto Per la comunicazione 5G

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Wafer di carburo di silicio 4 pollici di diametro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS

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Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio

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