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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati

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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare

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Tipo conduttivo su ordinazione sic wafer per fotovoltaico solare ad alta tensione ad alta temperatura del dispositivo di potere

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tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento

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di 2inch 4inch 6inch 8Inch di silicio del carburo del wafer grado principale di ricerca fittizia dei wafer sic

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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6inch tipo sic substrato di spessore 350um 4H N del diametro 150mm per lo SBD MOS Application

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

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4H-N Carburo di silicio SiC Substrato 8 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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