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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica

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Forno di crescita dei cristalli sic PVT LPE HT-CVD metodo di crescita dei singoli cristalli sic di alta qualità

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Piastra portante a più Wafer SiC Carburo di silicio sinterizzato senza pressione per supporto a Wafer

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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