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[silicon substrate ]

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di 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC del wafer di silicio del carburo grado fittizio principale del substrato sic

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10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

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2 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio Tipo 3C-N Diametro 50,8 mm Grado di Produzione Grado di Ricerca Grado Dummy Grade

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6 pollici 8 pollici 4H-SEMI SiC Substrato per occhiali AR di grado ottico

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Wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 0.33mm 0.43mm di 6H-N 4H-N sic

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Substrato di cristallo di quarzo monocristallino trasparente resistente al calore da 6 pollici per dispositivi SAW

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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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Provi la lastra di silicio monocristallina del grado, alta lastra di silicio di resistività

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Doppia resistenza all'usura laterale lucidata del substrato del monocristallo del wafer Al2O3 dello zaffiro

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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comprare 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto fabbricazione online

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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