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6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D
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6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Certificazione ROHS
Numero di modello 4H-Semi SIC
Dettagli del prodotto
materiale:
HPSI 4h-Semi SIC
Grado:
D
Diametro:
150 ± 0,2 mm
Spessore:
500 ± 25 μm
LTV:
≤ 10 μm ((5 mm*5 mm)
TTV:
≤ 20 μm
arco:
-45 μm~45 μm
filo di ordito:
≤ 55 μm
Resistività:
70% di superficie > 1 E5ohm·cm
Evidenziare: 

Wafer a semiconduttore di qualità fittizia

,

Substrato SIC a silicio 4H-Semi

,

Wafer a semiconduttore a LED

Descrizione di prodotto

6 ̊ Silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di grado fittizio 5G LED

 

 

Descrizione:

 

4H-SiC semisolatore4H-SIC) è un tipo speciale di carburo di silicio.Nella struttura cristallina, la SIC a semiconduttore 4H ha proprietà semiconduttrici, mentre il carburo di silicio semiconduttore 4H semi-isolato ha caratteristiche di resistenza più elevate,con proprietà simili a quelle degli isolanti.Semi-isolatiCarburo di silicio semiconduttore 4Hha importanti applicazioni insemiconduttorela fabbricazione di dispositivi, in particolare per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.Silicio semi-isolato carburopuò essere utilizzato come resistore, strato di isolamento oSottostatiper contribuire a ridurre l'interconnessione di corrente e le interferenze tra i dispositivi.4 ore.indica la struttura cristallina dicarburo di silicio.4H-carburo di silicioè una forma di struttura cristallina in cui atomi di silicio e carbonio formano una struttura cristallina stabile.

 

 

Caratteristiche:

 

 

Caratteristiche

Descrizioni

Proprietà ad alta temperatura

Il carburo di silicio semiconduttore 4H ha eccellenti caratteristiche ad alta temperatura e può funzionare in ambienti ad alta temperatura.

Resistenza ad alta pressione

Il carburo di silicio a semiconduttore 4H ha un'elevata resistenza al campo elettrico di rottura e resistenza alla tensione, che lo rende adatto per applicazioni ad alta tensione come l'elettronica di potenza.

Risposta ad elevata requerenza

Il carburo di silicio a semiconduttore 4H ha un'elevata mobilità elettronica e caratteristiche di bassa capacità, consentendo una conversione ad alta velocità e una conversione di potenza a bassa perdita.

Basse perdite di avviamento e di arresto

Il 4H-semi SIC ha una bassa perdita di accensione e di spegnimento, cioè una minore perdita di energia nello stato conduttivo, riducendo la perdita di calore nella conversione di energia.

Alta resistenza alle radiazioni

Il SIC 4H-semi ha un'elevata resistenza alle radiazioni e può mantenere prestazioni stabili in ambienti ad alta radiazione.

Buona conducibilità termica

4H-semi SIC ha una buona conducibilità termica e può trasferire e disperdere efficacemente il calore.

Alta resistenza chimica

4H-semi SIC ha un'elevata resistenza alla corrosione chimica e all'ossidazione per mantenere prestazioni stabili in ambienti difficili.

 

 

 

Parametri tecnici:

 

 

Produzione

Ricerca

Cazzo.

Tipo

4H

4H

4H

Resistenza (ohm·cm)

≥ 1E9

100% di superficie>1E5

70% di superficie> 1E5

Diametro

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

Spessore

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Asse

< 1000>

< 1000>

< 1000>

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

LTV ((5 mm*5 mm)

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

Inchinati.

-25 μm~25 μm

- 35 μm~35 μm

-45 μm~45 μm

Warp.

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

Ra ((5um*5um)

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Densità di micropipe

≤1ea/cm2

≤10ea/cm2

≤ 15ea/cm2

 

 

 

 

Applicazioni:


1Il substrato SIC 4H-semi di alta purezza può essere utilizzato nei dispositivi elettronici di potenza.


2L'uso di SIC 4H-semi di alta purezza può essere utilizzato per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici.


3. I SIC 4H semi di alta purezza possono essere utilizzati come amplificatori di potenza ad alta frequenza.

 

4L'uso di SIC a 4H di alta purezza può essere utilizzato per la produzione di celle solari efficienti.


5L'acciaio SIC 4H di alta purezza può essere utilizzato per la fabbricazione di dispositivi a LED (diodi emettitori di luce).


6L'High Purity 4H-semi SIC ha importanti applicazioni nei dispositivi elettronici ad alta temperatura.


7. può essere utilizzato per la produzione di vari tipi di sensori

 

 

6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D 0

 

 

 

 

Altri prodotti connessi:

 

4H-N SIC:

 

 

6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D 1

 

 

 

Domande frequenti:

 

D: Che cos'è la certificazione diHPSI 4h-semi SIC?

A: La certificazione diHPSI 4h-semi SICè ROHS.

 

D: Qual è il marchio diHPSI 4h-semi SIC?

A: Il marchio diHPSI 4h-semi SICè ZMSH.

 

D: Qual è il luogo d'origine diHPSI 4h-semi SIC?

A: Il luogo di origineHPSI 4h-semi SICè la Cina.

 

Q: Qual è il MOQ diHPSI 4h-semi SIC contemporaneamente?

A: Il MOQ diHPSI 4h-semi SICSono 25 pezzi alla volta.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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