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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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6inch tipo sic substrato di spessore 350um 4H N del diametro 150mm per lo SBD MOS Application

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tipo grado di 2inch 3inch Dia100m 4H-N di produzione del wafer del carburo di silicio per il dispositivo a semiconduttore

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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

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