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Mr. Wang

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Wafer d'isolamento semi- Undoped HVPE del nitruro di gallio e tipo del modello

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Substrati a 12 pollici DSP dei wafer del quarzo di Sapphire Wafers BF33

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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Provi la lastra di silicio monocristallina del grado, alta lastra di silicio di resistività

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Doppia resistenza all'usura laterale lucidata del substrato del monocristallo del wafer Al2O3 dello zaffiro

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Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione

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55mm/1010mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione

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Trasmittanza di wafer di quarzo di grado ottico di 3 pollici > 92% Substrati di vetro semiconduttori

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8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

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Sistema di separazione laser del substrato SiC da 6 a 12 pollici Wafer per macchine personalizzate

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Al2O3 99,999% monocristallo 4 pollici SSP/DSP Dia100mm A-Plane Sapphire Wafer Substrati

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Substrato di HVPE GaN o wafer di GaN Template EPI per le applicazioni di rf

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Wafer di zaffiro monocristallino da 2 pollici con doppio lato lucidato Al2O3 99,999% substrato monocristallino

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