Forno di ossidazione LPCVD da 6 pollici, 8 pollici e 12 pollici per la deposizione uniforme di film sottile

Riassunto del forno di ossidazione LPCVD

Forno di ossidazione LPCVD da 6 pollici, 8 pollici e 12 pollici per la deposizione uniforme di film sottile

I sistemi LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) servono come attrezzature critiche per la deposizione di film sottili nella produzione di semiconduttori, utilizzati principalmente per la coltivazione di polisilicio, nitruro di silicio,e pellicole di ossido di silicioI principali vantaggi della tecnologia sono:

1) ambiente a bassa pressione (0,1-10 Torr) che garantisce un'eccezionale uniformità della pellicola entro ±1,5%;

2) Progettazione del reattore verticale che consenta un'elaborazione ad alta capacità di 150-200 wafer per lotto;

3) Deposizione termicamente attivata a 300-800°C senza danni indotti dal plasma, rendendola particolarmente adatta a processi di precisione come la formazione dielettrica a cancello.

Questa tecnologia è stata ampiamente adottata nella produzione di nodi avanzati (5nm e oltre) sia per chip logici che per dispositivi di memoria.

The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityLa disposizione verticale dei wafer non solo massimizza la capacità del lotto, ma migliora anche l'efficienza della produzione, rendendo il sistema ideale per la fabbricazione di semiconduttori su scala industriale.

Forno di ossidazione LPCVDSpecificità

Caratteristiche del prodotto delle apparecchiature LPCVD:

*Funzionamento automatizzato con manipolazione dei wafer ad alta precisione

*Camera di processo ultra-pulita con minima contaminazione da particelle

*Uniformità superiore dello spessore del film

*Controllo intelligente della temperatura con regolazione in tempo reale

*Supporto per wafer SiC per ridurre l'attrito e la generazione di particelle

*Regolazione automatica della pressione per prestazioni coerenti del processo

*Configurazioni personalizzabili per diversi requisiti di processo

Principio di deposizione del LPCVD:

1Introduzione del gas: i gas reagenti vengono introdotti nel tubo, mantenendo un ambiente a bassa pressione all'interno del tubo necessario per la reazione, in genere compresa tra 0,25 e 1 Torr.

2Trasporto superficiale dei reattanti: in condizioni di bassa pressione, i reattanti possono muoversi liberamente sulla superficie del wafer.

3. Adsorbimento dei reagenti sulla superficie del substrato: i reagenti aderiscono alla superficie del substrato.

4Reazione chimica sulla superficie del wafer: i reagenti subiscono una decomposizione termica o una reazione sulla superficie del wafer, formando prodotti.

5. Rimozione dei gas non prodotti: i gas diversi dai prodotti di reazione vengono rimossi dalla superficie per mantenere l' ambiente a bassa pressione ed evitare interferenze con il processo di deposizione.

6. Accumulazione di prodotti di reazione per formare film: i prodotti di reazione si accumulano sulla superficie per formare un film solido.

Applicazione del processo di ossidazione

I processi di ossidazione del silicio sono fondamentali in tutto il processo di produzione dei semiconduttori.

1. Scavo di ossido: agisce come una barriera per prevenire la contaminazione del wafer di silicio bloccando la fotoresistenza,e può anche disperdere gli ioni prima che entrino nel silicio monocristallino per ridurre gli effetti di canalizzazione..

2. Pad Oxide Layer: Questo strato è usato per ridurre lo stress tra il silicio e il nitruro di silicio.la forza di trazione fino a 10^10 dyn/cm2 da strati di nitruro di silicio LPCVD potrebbe causare crepe o addirittura rottura nelle wafer di silicio .

3. Strato di ossido di cancello: fungendo da strato dielettrico nelle strutture MOS, consente percorsi di conduzione della corrente ed esegue il controllo dell'effetto di campo.

Effetto meccanicoForno di ossidazione LPCVD