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2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm

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Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

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10 millimetri X 10 millimetri di tipo d'isolamento sic grado sic Crystal Substrate di 6H di ricerca del substrato

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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