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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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