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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon substrate ]

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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tipo substrati del grado N della prova di ricerca dei wafer di 3inch VGF GaAs di GaAs

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Customized High Borosilicate Glass Wafers High Refractive Index Substrates 2-12 Inch

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Wafer a 4 pollici dell'arsenuro di gallio, substrato di Gaas per le leghe di bassa temperatura

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Lastra di silicio di IC SSP/resistività superficia della particella 1~10ohm finitura <30/Cm2 di DSP

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Wafer SiC da 8 pollici Wafer Carburo di Silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um

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Alto substrato ceramico ceramico di AlN del nitruro di alluminio del substrato di conducibilità termica

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Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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Video

2inch Un-aereo singolo Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monocristallino

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Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori

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sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

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Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

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Substrato ceramico 1.0mm a 6 pollici, piastrina ceramica dell'allumina per l'elaborazione a semiconduttore

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