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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Buon prezzo Linea di lucidatura di wafer di silicio e SiC da 6 ′′ 8 con teste quadrate e montaggio a ciclo chiuso in linea
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Metodo Polytype Diamond Substrate Wafers For GaN Epitaxial di MPCVD

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Il manichino a 4 pollici del substrato del nitruro di silicio 4H-N sic classifica sic il substrato per i dispositivi di alto potere

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tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento

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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati

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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare

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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia

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di 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP di silicio 4h-N del carburo wafer di superficie sic

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio

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4 pollici Wafer Si Dia 100mm Spessore 350um Orientazione <100> DSP SSP Wafer di silicio personalizzati tipo N tipo P

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Wafer di silicio personalizzati da 4 pollici (100 mm): spessore di 350 μm, < 100> orientamento, DSP/SSP, doping di tipo N/P

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