Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' 4' spessore 350um

Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' spessore 350um

Descrizione diFosfuro di indio:

I chip di fosfuro di indio (InP) sono un materiale ampiamente utilizzato in optoelettronica e dispositivi semiconduttori.

• Alta mobilità elettronica: i chip di fosfuro di indio hanno un'alta mobilità elettronica, il che significa che gli elettroni si muovono più velocemente attraverso il materiale.

• Proprietà del materiale controllate: le proprietà delle wafer di fosfuro di indio possono essere regolate controllando il processo di crescita epitaxiale del materiale e le tecniche di doping.

• Largo intervallo di banda: il wafer di fosfuro di indio ha un ampio intervallo di banda, che gli consente di operare nelle fasce di luce visibile e infrarossa.

• Velocità di deriva di saturazione elevata: il wafer di fosfuro di indio ha una velocità di deriva di saturazione elevata, il che significa che la velocità di deriva degli elettroni raggiunge il massimo sotto un forte campo elettrico.

• eccellente conduttività termica: la wafer di fosfuro di indio ha una elevata conduttività termica, il che significa che è in grado di condurre e dissipare efficacemente il calore,migliorando così l'affidabilità e la stabilità delle prestazioni del dispositivo.

Caratteristiche delFosfuro di indio:

I chip a fosfuro di indio (InP) hanno alcune caratteristiche notevoli che li rendono ampiamente utilizzati in optoelettronica e semiconduttori.Le seguenti sono alcune delle caratteristiche principali dei materiali a chip di fosfuro di indio:

• Intervallo di banda diretto: il fosfuro di indio ha una caratteristica di intervallo di banda diretto che lo rende eccellente nei dispositivi ottici.

• Ampia gamma di intervalli di banda: il fosfuro di indio ha un ampio intervallo di banda che va dallo spettro infrarosso all'ultravioletto.

• Alta mobilità elettronica: il fosfuro di indio ha un'alta mobilità elettronica, che lo rende eccellente nell'elettronica ad alta frequenza e nell'optoelettronica ad alta velocità.

• Eccellente conduttività termica: il fosfuro di indio ha una elevata conduttività termica e può dissipare efficacemente il calore.

• Buona stabilità meccanica e chimica: i chip di fosfuro di indio hanno una buona stabilità meccanica e chimica e possono mantenere la stabilità e l'affidabilità in diverse condizioni ambientali.

• Struttura a fascia regolabile: la struttura a fascia dei materiali a fosfuro di indio può essere regolata mediante tecniche di doping e lega per soddisfare i requisiti dei diversi dispositivi.

Parametri tecnici diFosfuro di indio:

Applicazioni diFosfuro di indio:

I wafer di fosfuro di indio (InP) hanno un'ampia gamma di applicazioni in optoelettronica e substrati semiconduttori:

• Comunicazione ottica: i wafer InP sono ampiamente utilizzati nel campo della comunicazione ottica per sistemi di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità.con una lunghezza massima non superiore a 50 mm, ricevitori ottici, amplificatori ottici e accoppiatori a fibra ottica.

• Dispositivi fotoelettronici: i wafer InP sono utilizzati per produrre dispositivi fotoelettronici come fotodiodi, fotodettori, celle solari e fotoaccoppiatori.

• Dispositivi elettronici ad alta velocità: i substrati InP sono ampiamente utilizzati nel settore dei dispositivi elettronici ad alta frequenza.I transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) dei wafer InP sono utilizzati per preparare dispositivi come amplificatori ad alta frequenza, interruttori RF e circuiti integrati a microonde per applicazioni quali le comunicazioni wireless, i sistemi radar e le comunicazioni satellitari.

• Dispositivi ottici integrati: i wafer InP sono utilizzati per preparare dispositivi ottici integrati quali guide d'onda ottiche, modulatori ottici, interruttori ottici e amplificatori ottici.

• Ricerca fotonica: i wafer InP svolgono un ruolo importante nella ricerca fotonica.

• Oltre alle applicazioni di cui sopra, i wafer InP sono utilizzati anche in altri campi, come il rilevamento ottico, la biomedicina, lo stoccaggio della luce e i substrati a semiconduttori

FAQ:

Q1: Quale marchio è ilWafer InP?
A1: IlInP wafer èProdotto da ZMSH.

Q2: Qual è il diametro delWafer InP?
A2: Il diametro diInP wafer èDue, tre, quattro metri.

Q3: Dove si trova ilWafer InPDa cosa?
A3: IlWafer InPè dalla Cina.

D4: È laWafer InPCertificato ROHS?
A4: Sì, ilWafer InP è certificato ROHS.

D5: Quanti IPSPosso comprare i waffles in una sola volta?
A5: Il quantitativo minimo di ordinazioneWafer InPSono 5 pezzi.

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