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Singolo Crystal Sapphire Wafer Dia piano 100mm 2inch
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singolo di 4inch Sapphire Wafer C/doppio monocristallo lucidato lato piano Al2O3
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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 singolo Crystal Optical Transparency
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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm
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Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD
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Portatore di diffusione di wafer riutilizzabile di vetro di silice fuso a cristallo di quarzo trasparente
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Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori
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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic
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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic
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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE
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Tipo wafer 2inch 3inch 4inch del tipo/N di P del germanio del substrato di GE
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Metodo Polytype Diamond Substrate Wafers For GaN Epitaxial di MPCVD